作为 SWIFTTM的DC/DC稳压器系列的成员，TPS5430是一个高输出电流PWM转换器，它集成了低阻抗高侧N沟道 MOSFET。其内部集成了一个高性能的电压误差放大器，在瞬态条件下有严格的电压调节精度，具有欠压锁定功能，以防止输入电压达到5，5V时启动;内置慢启动电路限制浪涌电流，电压前馈电路改善瞬态响应。其他功能还包括一个灵敏的高电平使能端、过电流保护和热关机。为了降低设计的复杂性和外部元件数量，TPS5430具有内部反馈补偿回路。

TPS5430器件采用热增强型，可方便使用8引脚 soic powerpadmm封装，TI提供评估模块和 SWIFTTM设计者的软件工具，以帮助尽快实现高性能电源设备的设计，以满足更短的开发周期。

　　这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或将器件放置储存器的导电泡棉放以防止静电损坏MOS门极。

　　具体说明如下：

　　①欠压锁定（UVLO）

芯片交易网IC交易网 微软雅黑 !important; font-style: normal; font-variant-ligatures: normal; font-variant-caps: normal; font-weight: 400; orphans: 2; text-align: start; text-indent: 0px; text-transform: none; white-space: normal; widows: 2; word-spacing: 0px; -webkit-text-stroke-width: 0px; background-color: #ffffff; text-decoration-style: initial; text-decoration-color: initial;">　　当VIN（输入电压）是低于UVLO启动电压阈值时， ATMEGA系列ATMEL芯片COMTPS5430采用欠电压闭锁电路以保持设备禁用。在上电时， 电子元器件PDF资料大全内部电路运行无效， EEPROM带电可擦可编程存储器芯片大全直到输入电压超过UVLO阈值电压启动。一旦欠压锁定阈值电压达到启动电压，CMOS图像传感器集成电路芯片设备开始启动。该器件工作，直到输入电压下降至低于UVLO阈值电压才停止。在UVLO比较器典型迟滞电压是330mV。

　　②升压电容器

　　在PH引脚与BOOT引脚之间接一个0.01uF的低ESR陶瓷电容。这电容器提供了高边 MOSFET栅极驱动电压。

　　③输出反馈（ VSENSE）和内部补偿

　　该稳压器输出电压是由反馈到VSENSE管脚由外部电阻分压器设定的。在稳态运行时， VSENSE管脚电压应等于参考电压1.221V。TPS5430实现内部补偿，以简化稳压管的设计。由于该款TPS5430采用电压模式控制，芯片交易网IC交易网为了提供高交叉频率和高稳定性的相位裕度，芯片设计采用Ⅲ型补偿网络。

　　④电压前馈

　　尽管输入电压有变化，内部电压前馈提供恒定直流功率级增益。这大大简化了稳定性分析，提高了瞬态响应。前馈电压随输入电压的峰值斜坡电压成反比，使调制器和功率级增益是在反馈增益不变的情况下，TPS5430典型的前馈增益为25。

　　⑤脉宽调制（PWM）控制

　　该稳压器采用固定频率脉宽调制（PWM）控制方法。首先，利用高增益误差放大器和补偿网络将反馈电压（ VSENSE管脚电压）与参考恒压相比较的，产生误差电压。然后，由PWM比较器将误差电压与斜坡电压进行比较。这样，误差电压幅度转换为脉冲宽度即占空比。最后，PWM的输出反馈到栅极驱动电路来控制上高边 MOSFET的开通时间和频率。

　　⑥过流保护

　　过电流保护是通过检测高侧 MOSFET的漏源电压来动作。然后将漏源电压与代表过流阈值的临界电压值相比较。如果漏源电压超过过流阈值临界值，过电流标志位设置为真。该系统将在每个周期的开始时忽略前沿消隐时间的过流指示，以避免任何噪声故障。

　　旦过流标志设置为真，过流保护被触发。高侧 MOSFET在一定的延迟后将关闭，为下个周期作准备。过电流保护是所谓的循环周期电流限制。如果检测电流在逐周期电流限制期内继续增加，将触发过电流保护的“间歇”模式替代逐周期限流模式。在“间歇”模式过流保护，参考电压接地且高侧 MOSFET为关闭，下次“间歇”作准备。一旦“间歇”持续时间完成，调节器在慢启动电路控制下重启。     TPS5430 N沟道MOSFET 集成芯片 电流管理芯片 继电器 数字电路

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