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5年投入135亿人民币建设8英寸碳化硅SiC半导体工厂
发布日期:2024-05-12 07:35     点击次数:118

  3月17日,三菱电机宣布,将投资约1000亿日元(目前约为51.9亿元人民币),在菊池市现有厂区建设一座8英寸SiC晶圆工厂,熊本县和提高相关生产设施,以增加碳化硅SiC)功率半导体的生产。

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日本媒体指出,到2026年,三菱电机的SiC晶圆产能将增至2022年的5倍左右。在2021年至2025年的五年内,三菱电机将为电力半导体业务投资约2600亿日元(目前约134.94亿元人民币),投资规模将比原计划值(约1300亿日元)增加100亿日元。其中,芯片交易网IC交易网三菱电机将投资100亿日元(约合人民币5.19亿元)在福冈市新建工厂, ATMEGA系列ATMEL芯片COM旨在整合福冈地区现有业务。 

三菱电机目前主要的4大半导体优势

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微波及射频器件三菱电机为卫星通信等各种频率的通信设备提供上佳的解决方案,促使无线通信更加高效化及多样化,为无线通信的发展做贡献。三菱电机光器件和光模块碳化硅,SiC,半导体2.jpg 

光器件和光模块三菱电机通过光通信设备的广泛应用使信息传播变得大容量化、快速化、高可靠性及低能耗性,适用于未来发展的多样用途。 

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红外传感器  

该款红外传感器采用三菱电机自主研发的热敏二极管红外传感器技术,实现了高像素和高温分辨率。它能清晰捕捉人体和物体的热成像,提升了识别人体和物体以及掌握人类动作的性能,在预防犯罪、监测系统、人数统计系统、智能建筑系统、空调等市场具有高度匹配性。红外传感器 

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