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- 发布日期：2024-10-23 06:39 点击次数：108
特征
300伏VCEO
0.5安培连续电流
Ptot = 1瓦特
绝对最大额定值。
参数符号ZTX756 ZTX757单元
集电极 - 基极电压VCBO -200 -300 V.
集电极 - 发射极电压VCEO -200 -300 V.
发射极 - 基极电压VEBO -5 V.
峰值脉冲电流ICM -1 A.
连续集电极电流IC -0.5 A.
Tamb时的功耗= 25°C Ptot 1 W.
操作和存储温度
范围
Tj：Tstg -55至+ 200°C
电气特性（除非另有说明，在Tamb = 25°C时）。
参数符号ZTX756 ZTX757单元条件。
MIN。 MAX。 MIN。 MAX。
集电极基
击穿电压
V（BR）CBO -200 -300 V IC =-100μA，IE = 0
芯片交易网IC交易网 51); font-family: "microsoft yahei"， ATMEGA系列ATMEL芯片COM arial; font-size: 18px; white-space: normal;">集电极 - 发射极
电子元器件PDF资料大全 51， EEPROM带电可擦可编程存储器芯片大全 51); font-family: "microsoft yahei"，CMOS图像传感器集成电路芯片 arial; font-size: 18px; white-space: normal;">击穿电压
V（BR）CEO -200 -300 V IC = -10mA，IB = 0 *
发射基
击穿电压
V（BR）EBO -5 -5 V IE =-100μA，IC = 0
收集器截止
当前
ICBO -100
-100
nA的
nA的
VCB = -160V，IE = 0
VCB = -200V，IE = 0
发射器截止
当前
IEBO -100 -100 nA VEB = -3V，IC = 0
集电极 - 发射极
饱和电压
VCE（sat）-0.5 -0.5 V IC = -100mA，芯片交易网IC交易网
IB = -10mA *
基射
饱和电压
VBE（sat）-1.0 -1.0 V IC = -100mA，
IB = -10mA *
基射
开启电压
VBE（on）-1.0 -1.0 V IC = -100mA，VCE = -5V *
静态转发
当前转移
比
hFE 50
40
50
40
IC = -100mA，VCE = -5V *
IC = -10mA，VCE = -5V *
过渡
频率
fT 30 30 MHz IC = -10mA，VCE = -20V
F = 20MHz的
输出电容Cobo 20 20 pF VCB = -20V，f = 1MHz