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- 发布日期：2024-08-11 07:25 点击次数：93 第一种：雪崩破坏
如果在漏极-源极间外加超出器件额定VDSS的电涌电压，而且达到击穿电压V(BR)DSS （根据击穿电流其值不同），并超出一定的能量后就发生破坏的现象。
在介质负载的开关运行断开时产生的回扫电压，或者由漏磁电感产生的尖峰电压超出功率MOSFET的漏极额定耐压并进入击穿区而导致破坏的模式会引起雪崩破坏。
ATMEGA系列ATMEL芯片COM 62， 电子元器件PDF资料大全 62); font-family: -apple-system-font， EEPROM带电可擦可编程存储器芯片大全 BlinkMacSystemFont，CMOS图像传感器集成电路芯片 Arial， 芯片交易网IC交易网 sans-serif; letter-spacing: 1px; line-height: 1.75em; text-indent: 0em;">典型电路：
由超出安全区域引起发热而导致的。发热的原因分为直流功率和瞬态功率两种。
直流功率原因：外加直流功率而导致的损耗引起的发热
导通电阻RDS(on)损耗（高温时RDS(on)增大，导致一定电流下，功耗增加）
由漏电流IDSS引起的损耗（和其他损耗相比极小）
瞬态功率原因：外加单触发脉冲
负载短路
开关损耗（接通、断开） *（与温度和工作频率是相关的）
内置二极管的trr损耗（上下桥臂短路损耗）（与温度和工作频率是相关的）
器件正常运行时不发生的负载短路等引起的过电流，造成瞬时局部发热而导致破坏。另外，由于热量不相配或开关频率太高使芯片不能正常散热时，持续的发热使温度超出沟道温度导致热击穿的破坏。
在DS端间构成的寄生二极管运行时，芯片交易网IC交易网由于在Flyback时功率MOSFET的寄生双极晶体管运行，
导致此二极管破坏的模式。
此破坏方式在并联时尤其容易发生。
在并联功率MOS FET时未插入栅极电阻而直接连接时发生的栅极寄生振荡。高速反复接通、断开漏极-源极电压时，在由栅极-漏极电容Cgd(Crss)和栅极引脚电感Lg形成的谐振电路上发生此寄生振荡。当谐振条件(ωL=1/ωC)成立时，在栅极-源极间外加远远大于驱动电压Vgs(in)的振动电压，由于超出栅极-源极间额定电压导致栅极破坏，或者接通、断开漏极-源极间电压时的振动电压通过栅极-漏极电容Cgd和Vgs波形重叠导致正向反馈，因此可能会由于误动作引起振荡破坏。
主要有因在栅极和源极之间如果存在电压浪涌和静电而引起的破坏，即栅极过电压破坏和由上电状态中静电在GS两端（包括安装和和测定设备的带电）而导致的栅极破坏。
