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Bu508A三极管名称的由来
发布日期:2024-06-16 06:36     点击次数:69

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这是国际半导体联合会统一的三极管命名法:B表示硅材料;U表示大功率开关管。508是产品注册登记号(同时表明他的参数);A是他的级别代码(同一型号三极管,某一个参数进行分档区别)。总之,三极管命名法多种多样,有国产的,欧美的。日本的等等,目前应用较多的是日本的,欧美的较少,国产的更少了。

类别:分立式半导体产品

家庭:晶体管(BJT) -单路

晶体管类型:NPN

电流-集电极(Ic)(最大):8A

芯片交易网IC交易网 arial; font-size: 18px; white-space: normal;">电压-集电极发射极击穿(最大):700V7-2.jpg

ATMEGA系列ATMEL芯片COM 51, 电子元器件PDF资料大全 51); font-family: "microsoft yahei", EEPROM带电可擦可编程存储器芯片大全 arial; font-size: 18px; white-space: normal;">Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):1V @ 2A,CMOS图像传感器集成电路芯片 4.5A

电流-集电极截止(最大):1mA

在某Ic、Vce时的最小直流电流增益(hFE):-

功率-最大:125W

芯片交易网IC交易网 51, 51); font-family: "microsoft yahei", arial; font-size: 18px; white-space: normal;">频率-转换:7MHz

安装类型:通孔

晶体管极性: NPN

功耗 (Pd): 125

集电极--基极击穿电压 (Ucb): 1500

集电极--发射极击穿电压 (Uce): 700

发射极--基极击穿电压 (Ueb): 0

最大集电极电流 (Ic): 8

工作温度最高值 (Tj), °C: 150

最大工作频率 (ft): 7

输出电容 (Cc), pF: 125

直流电流增益 (hfe): 10

晶体管封装类型: TOP3



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