1月29日，华为科技有限公司发布了一项名为“半导体结构和半导体结构制造方法”的新专利申请。该专利申请号为CN117461139A，提交日期为2021年6月。

根据专利摘要，这种新的半导体结构包括衬底、n晶体管和p晶体管。这些n晶体管和p晶体管都是在衬底上形成的。在半导体结构中， 芯片交易网IC交易网n晶体管和p晶体管中的每个都包含多个指状子器件， ATMEGA系列ATMEL芯片COM芯片交易网IC交易网每个指状子器件由多个堆叠半导体组成。

此外，为n型晶体管和p型晶体管设计的指状子设备的一部分或全部设计为叉堆叠设备。这种叉堆叠设备的特点是，其中包含的介电屏障仅沿堆叠半导体的一侧向下延伸。

本专利的主要优势在于其独特的半导体结构和多指体结构设计。该设计不仅有利于实现高电流设备，而且在功率性能方面也取得了优异的平衡。这一突破性技术预计将引领半导体行业的新一轮创新。

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