芯片资讯
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2024-12
二极管损坏的原因
二极管损坏的原因： （1）防雷bai、过电压保护措施不力。整流装置末设置防雷、过电压保护装置，即使设置了防雷、过电压保护装置，但其工作不可靠，因雷击或过电压而损坏整流管。 （2）运行条件恶劣。间接传动的发电机组，因转速之比的计算不正确或两皮带盘直径之比不符合转速之比的要求，使发电机长期处于高转速下运行，而整流管也就长期处于较高的电压下工作，促使整流管加速老化，并被过早地击穿损坏。 （3）运行管理欠佳。值班运行人员工作不负责任，对外界负荷的变化(特别是在深夜零点至第二天上午6点之间)不了解，或是
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09
2024-12
工程师推荐一些全球比较好的计算机编程书籍给大家
以下是工程师感到大呼过瘾的计算机编程书籍： 《EffectivePython：编写高质量Python代码的59个有效方法》（作者：BrettSlatkin）：这本书通过59个实用的技巧和真实的代码示例，展示了如何用Python编写高质量的代码。《PythonCookbook》（作者：AlexMartelli）：这本书是Python编程的奇技淫巧集锦，包含了大量的实用技巧和最佳实践，对资深开发者来说也是可以长读的。《Go程序设计语言》（作者：艾伦A.A.多诺万）：这本书是Go语言的权威指南，详细
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08
2024-12
华为海思芯片“奠基人”徐文伟宣布退休
3月25日，科技界迎来一则重磅消息。原华为海思总裁、被业界誉为华为海思芯片“奠基人”的徐文伟，在朋友圈正式宣布退休，结束了他长达33年的华为职业生涯。这位科技巨擘的退休，不仅标志着华为一个时代的结束，更是一个伟大企业崛起历程中的重要节点。 徐文伟，1963年出生于江苏常州，自幼聪慧过人，对科技充满好奇与向往。1980年，他进入南京工学院（现东南大学）自动控制系学习，凭借扎实的基础和不懈的努力，成功获得南京工学院学士和东南大学硕士学位。毕业后，他选择了加入正处于快速发展阶段的华为，开始了他的职业
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06
2024-12
韩法禁止DRAM和HBM员工跳槽到美光！
3月11日，韩国媒体传来了一则引人注目的消息。为了保护本国的半导体机密，韩国法院近日对SK海力士公司提出的一项竞业条款禁令予以批准，禁止一位曾在SK海力士从事DRAM和高带宽内存（HBM）业务的员工跳槽至其主要竞争对手美光公司。 据消息人士透露，这一禁令是由首尔的一家法院在上个月正式批准的。根据禁令内容，该名前员工在7月26日之前被禁止加入美光并为其工作。如果违反这一禁令，该员工将面临每日高达1000万韩元的罚款。 据了解，自2015年起，这位员工每年都会与SK海力士签署竞业禁止协议。协议中明
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03
2024-12
德国工业巨头博世再度宣布裁员约占其总人力资源的6%
3月4日消息据The Business Times的最新报道，德国工业巨头博世集团再次面临裁员风波。其旗下家电部门BSH的首席执行官Matthias Metz已宣布，该部门计划在接下来的几年内，即到2027年底，在全球范围内裁减约3500个间接领域部门的岗位，这约占其总人力资源的6%。值得关注的是，今年就将有1000个岗位被裁减。 在解释裁员计划时，Matthias Metz明确表示，这些岗位削减将主要集中在行政和内部服务领域，而非生产基地。这意味着生产一线的员工可能不会受到此次裁员计划的影响
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02
2024-12
ATmega8A-AU微控制器芯片
ATmega8A-AU微控制器芯片概述 ATmega8A-AU, picoPower技术AVR微控制器, 8K Bytes在系统可自编程Flash, 512 Bytes在系统可编程EEPROM, 1K Bytes片内SRAM 特点 高性能、低功耗的8位AVR微处理器 高级RISC 结构 130条指令 大多数指令执行时间为单个时钟周期 32个8位通用工作寄存器 全静态工作 工作在16MHz时吞吐量高达16MIPS 片内2周期乘法器 高耐久度非易失性存储器 8K字节的在系统可自编程Flash程序存
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2024-11
SG2803J/883B 集成芯片的参数PDF资料技术方案替换升级
SG2803J/883B 集成芯片的参数PDF资料技术方案替换升级 类别分立半导体产品晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列制造商Microsemi Corporation系列-包装管件零件状态在售晶体管类型8 NPN 达林顿电流 - 集电极（Ic）（最大值）500mA电压 - 集射极击穿（最大值）50V不同Ib，Ic 时的Vce 饱和值（最大值）1.6V @ 500A，350mA电流 - 集电极截止（最大值）-不同Ic，Vce时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）1000 @ 350mA，
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2024-11
tps5430引脚图及引脚说明
tps5430简介 作为 SWIFTTM的DC/DC稳压器系列的成员，TPS5430是一个高输出电流PWM转换器，它集成了低阻抗高侧N沟道 MOSFET。其内部集成了一个高性能的电压误差放大器，在瞬态条件下有严格的电压调节精度，具有欠压锁定功能，以防止输入电压达到5，5V时启动;内置慢启动电路限制浪涌电流，电压前馈电路改善瞬态响应。其他功能还包括一个灵敏的高电平使能端、过电流保护和热关机。为了降低设计的复杂性和外部元件数量，TPS5430具有内部反馈补偿回路。 TPS5430器件采用热增强型，
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2024-11
电感的理论与实践
在一个由微处理器、ASIC、MCU、GPU和DSP驱动的世界中，电感器等无源元件通常被视为有些神秘，许多人认为它们的使用包含一种难以理解的魔法（black art）。但是，电感的构造非常简单，通常由围绕金属形体缠绕的简单线圈组成，它们可以在现代电路中执行各种重要功能。因此，设计工程师需要充分了解它们的工作方式，并能够针对特定应用选择正确的电感器。 抵制变化 虽然有些电感器是空芯的，但大多数都使用铁芯，或者更常见的是采用铁氧体，这会增加电感器工作所需的磁场强度。当电流增大时，磁场强度也会增加，当
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2024-11
Bourns 伯恩斯 微调电位器, 3224 系列, 10kΩ最大电阻, 3224W-1-103E
Bourns 伯恩斯 微调电位器, 3224 系列, 10k最大电阻, 3224W-1-103E 产品详细信息12 转 250mW 4mm 3224W 系列顶部调整 Bourns 标准 3224W 系列顶部调整 SMD Trimpot 微调电位计，额定功率 @ 70 C 0.25W。3224W 系列金属陶瓷微调电容器带嵌入式调整螺钉，具有拾放定心设计用于自动化放置兼容性且封闭式设计，可进行标准板冲洗处理。 微型（标称尺寸 4mm 的方形箱）出色的安装效率适合于流动焊/回流焊/手工焊符合 EIA
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2024-11
PIC单片机低功耗系统的设计方法介绍
引言 20世纪90年代以来，随着集成电路特征线宽的持续减少以及芯片密度和工作频率的相应增加，降低功耗曾经成为亚微米和深亚微米超大范围集成电路设计中的一个主要思索要素。功耗的增加会带来一系列问题，例如电路参数漂移、牢靠性降落、芯片封装本钱增加等。因而，系统的功耗在整个系统设计中，特别是在采用电池供电的系统中显得非常重要。 MICroChip公司PIC系列的单片机为设计高性能、低功耗的单片机系统提供了很好的处理计划。下面从低功耗设计办法及详细例子来引见PIC单片机低功耗应用。 1 低功耗设计办法
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2024-11
8255接口芯片的引脚图及引脚功能的详细资料概述
单片机系统里常用的8255芯片是一个典型的可编程通用并行接口芯片，用来扩展单片机的端口，它具有3个8位的并行口，有三种工作方式，可作为单片机与各种外部设备衔接的接口电路！ 下面引见8255的引脚图及引脚功用。 PA3--140--PA4PA2--239--PA5PA1--338--PA6PA0--437--PA7RD--536--WRCS--635--RESETGND--734--D0A1--833--D1A0--932--D2PC7--1031--D3PC6--1130--D4PC5--12