在正常状况下，反向偏置PN结中只要很小的电流。该走漏电流坚持恒定，直到反向电压超越某个值。在此值之后，PN结忽然开端具有大电流传导（图1.15）。这种忽然和显着的反向传导是反向击穿，假如没有外部措施限制电流，可能会对器件形成损坏。反向击穿通常设定固态器件的最大工作电压。但是，假如采取恰当的预防措施来限制电流，则反向击穿能够用作十分稳定的参考电压。

　　图1.15 PN结二极管的反向击穿

　　招致反向击穿的一种机制是雪崩多重现象。思索反向偏置PN结。随着偏压的增加，耗尽区域变宽，但缺乏以阻止电场强化。强大的电场以十分高的速度加速一些载流子穿过耗尽区。当这些载流子与晶体中的原子碰撞时，它们会撞击松懈的价电子并产生额外的载流子。由于载体能够经过撞击产生额外的数千个外部载流子，就像雪球会产生雪崩一样，因而这个过程被称为雪崩多重现象。

　　反向击穿的另一种机制是隧道效应。隧道是一种量子机制过程，无论任何障碍物， EEPROM带电可擦可编程存储器芯片大全粒子都能够挪动一小段间隔。假如耗尽区足够薄，CMOS图像传感器集成电路芯片则载流子能够经过隧穿跳过。隧穿电流主要由耗尽区的宽度和结上的电压差决议。由隧道惹起的反向击穿称为齐纳击穿。

　　结的反向击穿电压取决于耗尽区的宽度。耗尽区越宽， 芯片交易网IC交易网所需的击穿电压越高。如前所述， ATMEGA系列ATMEL芯片COM掺杂越轻， 电子元器件PDF资料大全耗尽区越宽，击穿电压越高。当击穿电压小于5伏时，芯片交易网IC交易网耗尽区太薄，主要是齐纳击穿。当击穿电压高于5伏时，主要是雪崩击穿。设计用于反导游通状态的PN二极管依据主导工作机制称为齐纳二极管或雪崩二极管。齐纳二极管的击穿电压小于5伏，而雪崩二极管的击穿电压高于5伏。工程师经常将它们称为齐纳管，无论它们如何工作。因而，主要依赖于雪崩击穿工作的7V齐纳管可能会形成混杂。

　　实践上，结的击穿电压不只与其掺杂特性有关，而且与其几何外形有关。上面的讨论剖析了平面结，其中两个平均掺杂的半导体区域在一个平面中相交。固然一些真正的结接近这个理想，但大多数结是弯曲的。曲率加强了电场并降低了击穿电压。曲率半径越小，击穿电压越低。该效应对薄结的击穿电压有很大影响。大多数肖特基二极管在金属 - 硅界面的边缘处具有明显的毛病。除非有特殊措施来削弱肖特基势垒边缘的电场，否则电场加强能够大大降低肖特基二极管的丈量击穿电压。

　　图1.16是上面讨论的一切电路符号。 PN结运用直线表示阴极，而肖特基二极管和齐纳二极管对阴极端停止一些修正。在一切这些图例中，箭头的方向表示二极管正向偏置下的电流方向。在齐纳二极管中，此箭头可能有些误导，由于齐纳二极管通常在反向偏置状态下工作。关于不经意的察看者，该符号应插入短语“方向反转”旁边。

　　图1.16 PN结，肖特基二极管和齐纳二极管的电路图符号。在一些电路图符号中，箭头是空心或半箭头。

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