标题：Silan士兰微SGT60U65FD1P7 IGBT+Diode技术及TO-247-3L封装方案应用介绍 Silan士兰微的SGT60U65FD1P7是一款高性能的IGBT+Diode的组合芯片，其采用TO-247-3L封装，具有广泛的应用前景。本文将详细介绍该芯片的技术特点和方案应用。 一、技术特点 1. IGBT技术：IGBT（绝缘栅双极型晶体管）是一种新型的功率半导体器件，具有开关速度快、输入输出电阻低、耐压高、耐压击穿电压低等特点。SGT60U65FD1P7芯片采用的IGBT技术
标题：Silan微SGT60U65FD1PN IGBT+Diode技术与应用介绍 Silan微，作为一家在半导体领域有着卓越表现的公司，其SGT60U65FD1PN IGBT+Diode芯片在业界有着广泛的应用。本文将围绕该芯片的技术特点、方案应用进行介绍。 一、技术特点 SGT60U65FD1PN IGBT+Diode芯片采用了先进的Silan微技术，具有以下特点： 1. 高效率：该芯片通过优化IGBT和二极管的性能，实现了更高的转换效率，降低了系统的能耗。 2. 可靠性高：芯片采用了先进的
标题：Silan士兰微SGT15U65SD1FD IGBT+Diode技术应用及方案介绍 Silan士兰微的SGT15U65SD1FD是一款采用了TO-220FD-3L封装的IGBT+Diode一体化芯片，它的出现为现代电子技术带来了全新的应用方案。本文将深入探讨这款芯片的技术特点，以及其在各种应用场景中的解决方案。 一、技术特点 SGT15U65SD1FD芯片采用了先进的IGBT和二极管技术，具有高耐压、大电流、低损耗等特点。同时，它还采用了独特的封装形式，使得散热性能得到了显著提升，从而提
标题：Silan士兰微SGT10U60SDM2D IGBT＋Diode技术与TO-252-2L封装应用介绍 Silan士兰微的SGT10U60SDM2D是一款集成了IGBT和二极管的优秀器件，其采用了TO-252-2L封装，具有较高的热导率和优良的电气性能，使其在许多电力电子应用中发挥了重要作用。 首先，我们来了解一下IGBT（绝缘栅双极型晶体管）。IGBT是一种复合型功率半导体器件，具有开关速度快、热稳定性好、驱动功率小等优点，因此在变频电源、UPS电源、电机驱动等高频率、大功率的领域中得到
标题：Silan士兰微SGT40U120FD1P7 IGBT＋Diode技术应用与TO-247-3L封装介绍 Silan士兰微的SGT40U120FD1P7是一款采用TO-247-3L封装的IGBT＋Diode的混合器件。该器件结合了IGBT的高输入阻抗和快速开关性能以及二极管的反向耐压和续流特性，使其在各种电源和电机控制应用中具有广泛的应用前景。 首先，我们来了解一下IGBT。IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一种复合型功率半导体器件，具有IGB
士兰微与士兰集成将获得3269万元政府补助
2024-08-059月24日音讯，上交所上市公司杭州士兰微电子股份有限公司（以下简称士兰微，股票代码600460）发布公告称，该公司及其控股子公司杭州士兰集成电路有限公司（以下简称士兰集成）将取得中央财政资金项目后补助款1037 万元。 士兰微在公告中称，该公司和士兰集成以及其它第三方共同承当了面向挪动终端和物联网的智能传感器产品制造与封装一体化集成技术项目。 该项目已经过综合绩效评价，士兰微与士兰集成将合计取得中央财政资金项目后补助款3269万元，其中士兰微将取得的后补助金额为1037万元，士兰集成将取得的后
标题：Silan士兰微SGT40T120SDB4P7 IGBT＋Diode封装技术及其应用方案介绍 Silan士兰微的SGT40T120SDB4P7是一款采用了TO-247-3L封装的IGBT＋Diode的混合器件。该器件凭借其独特的技术和方案应用，在电力电子领域中发挥着越来越重要的作用。本文将详细介绍这款器件的技术特点、应用方案以及未来发展趋势。 一、技术特点 SGT40T120SDB4P7器件采用了IGBT（绝缘栅双极型晶体管）和二极管相结合的方式。其中，IGBT具有较高的开关频率和转换效
标题：Silan微SGTQ40T120SDB2P7 IGBT+Diode技术在TO-247-3L封装中的应用与方案介绍 Silan微电子公司一直以其卓越的技术创新和产品开发能力在业界享有盛誉。近期，Silan微推出了一种采用TO-247-3L封装的新型SGTQ40T120SDB2P7 IGBT+Diode组件，该组件以其独特的性能和高效的应用方案，受到了广泛关注。 首先，我们来了解一下这款SGTQ40T120SDB2P7 IGBT+Diode组件的特点。它采用TO-247-3L封装，这是一种高
标题：Silan士兰微SGT25U120FD1P7 IGBT＋Diode技术与TO-247-3L封装的应用介绍 Silan士兰微的SGT25U120FD1P7是一款采用TO-247-3L封装的IGBT＋Diode的复合器件，它结合了IGBT的高输入阻抗和快速开关特性以及二极管的反向耐压和正向导通特性，使得它在许多应用领域中都表现出了优越的性能。 首先，我们来了解一下IGBT。IGBT是一种复合型功率半导体器件，它结合了MOSFET的高输入阻抗和IGBT的强力驱动能力。因此，它具有快速开关特性，