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SG2803J/883B 集成芯片的参数PDF资料技术方案替换升级 类别分立半导体产品晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列制造商Microsemi Corporation系列-包装管件零件状态在售晶体管类型8 NPN 达林顿电流 - 集电极（Ic）（最大值）500mA电压 - 集射极击穿（最大值）50V不同Ib，Ic 时的Vce 饱和值（最大值）1.6V @ 500A，350mA电流 - 集电极截止（最大值）-不同Ic，Vce时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）1000 @ 350mA，